4H полу-изолационна пластина SiC

Полу{0}}изолационните SiC субстрати предлагат високо съпротивление и отлични топлинни свойства, което ги прави подходящи за GaN хетероепитаксиален растеж и високо{1}}честотни радиочестотни полупроводникови приложения. Като висока-производителностSiC субстрат, той се използва широко за HEMT-базирани устройства в усъвършенствани комуникационни системи, включително 5G инфраструктура.

Тези полу{0}}изолационниSiC пластинисъщо така осигуряват отлични оптични и материални свойства, поддържайки нововъзникващи приложения в оптоелектрониката и носимата електроника. 12-инчовите SiC субстрати предлагат потенциал за приложения от следващо-генерация, като AR очила и други усъвършенствани оптични устройства.

 

6-инчов
Диаметър	150,0 мм +0 мм/-0,2 мм
Ориентация на повърхността	{0001}±0,2 градуса
Основна плоска ориентация	/
Вторична плоска ориентация	/
Първична плоска дължина	прорез
Вторична плоска дължина	Няма
Ориентация на прореза	<1100>±1,0 градус
Дълбочина на прореза	Няма1mm+0.25mm/-0mm от ръба
Ъгъл на прореза	90 градуса +5 градуса /-1 градуса
Дебелина	500.0um±25.0um
Тип	Полу{0}}изолиращ

 

 

 

8-инчов
Диаметър	200,0 мм +0 мм/-0,5 мм
Ориентация на повърхността	{0001}±0,2 градуса
Основна плоска ориентация	/
Вторична плоска ориентация	/
Първична плоска дължина	прорез
Вторична плоска дължина	Няма
Ориентация на прореза	<1100>±1,0 градус
Дълбочина на прореза	Няма1mm+0.25mm/-0mm от ръба
Ъгъл на прореза	90 градуса +5 градуса /-1 градуса
Дебелина	500.0um±25.0um
Тип	Полу{0}}изолиращ

 

 

12-инчов
Диаметър	300,0 мм +0 мм/-0,5 мм
Ориентация на повърхността	{0001}±0,5 градуса
Основна плоска ориентация	/
Вторична плоска ориентация	/
Първична плоска дължина	прорез
Вторична плоска дължина	Няма
Ориентация на прореза	<1100>±5,0 градуса
Дълбочина на прореза	Няма1mm+0.25mm/-0mm от ръба
Ъгъл на прореза	90 градуса +5 градуса /-1 градуса
Дебелина	750.0um±25.0um
Тип	Полу{0}}изолиращ