-
![4H P-Type SiC пластина]()
4H P-Type SiC пластинаПодложките тип P{0}}SiC са проектирани за хомоепитаксиален растеж и разработване на мощни полупроводникови устройства с ултра-високо-напрежение. С отлични електрически и термични характеристики този -
![4H полу-изолационна пластина SiC]()
4H полу-изолационна пластина SiCПолу{0}}изолационните SiC субстрати предлагат високо съпротивление и отлични топлинни свойства, което ги прави подходящи за GaN хетероепитаксиален растеж и високо{1}}честотни радиочестотни -
![4H N-тип SiC субстрат]()
4H N-тип SiC субстратПодложките от тип N{0}}SiC са проектирани за хомоепитаксиален растеж при усъвършенствано производство на мощни полупроводници. С превъзходна електрическа и термична производителност, този
