Основна вафла

Основна вафла

Основните вафли са основата на съвременното производство на полупроводници. Със строг контрол върху плоскостта, нивата на частиците и съпротивлението те осигуряват точността, необходима за производството на чипс. Тези вафли гарантират, че всяка стъпка на производство е предсказуема и повтаряща се, поддържаща висок добив и постоянно качество в модерното производство на устройства.
Share to
Изпрати запитване
Чат сега
Описание
Технически параметри

 

Въведение на продуктите

 

 

Bare Wafer1

 

Свойства на материала

 

 

 

Основни спецификации 6" 8" 12"
Метод на растеж CZ CZ CZ
Диаметър (mm) 150±0.5 200±0.5 300±0.5
Тип/допант: P/boron или n/ph P/boron или n/ph P/boron или n/ph
Дебелина (μm) 625±25/675±25 725±25 775±25
Съпротивление 1–100Ω 1–100Ω 1–100Ω
Ttv По -малко или равни на 10um По -малко или равни на 10um По -малко или равни на 10um
Поклон По -малко или равни на 40um По -малко или равни на 40um По -малко или равни на 40um
Основата По -малко или равни на 40um По -малко или равни на 40um По -малко или равни на 40um
Частица По -малко или равни на 30ea@ по -голямо или равно на 0,2um По -малко или равни на 30ea@ по -голямо или равно на 0,2um По -малко или равни на 30ea@ по -голямо или равно на 0,2um
Плосък/изрязване Апартаменти/Notch Апартаменти/Notch Notch
Повърхностно покритие Като - изрязване/lapped/офорт/ssp/dsp Като - изрязване/lapped/офорт/ssp/dsp Като - изрязване/lapped/офорт/ssp/dsp
Персонализирани спецификации

 

 

 

Bare Wafer 1

Prime Wafers се произвеждат, за да отговарят на най -високите стандарти, необходими за производство на полупроводникови устройства. С по -строгите контроли на нивата на TTV, лък, основата и частиците, тези вафли осигуряват превъзходна плоскост и качество на повърхността, което ги прави идеални за производство на чипове и развитие на усъвършенстваните процеси. Независимо дали за големи - производство на мащаб или прецизна научноизследователска и развойна дейност, основните вафли осигуряват консистенцията, необходима за постигане на топ добив и производителност.

 

 

 

 

Характеристики на продукта

 

 

 

Налични размери:6 ", 8" и 12 "

Метод на растеж:CZ (czochralski) процес

Толеранс на диаметъра:150 ± 0,5 mm, 200 ± 0,5 mm, 300 ± 0,5 mm

Опции за допинг:P - тип (борон) или n - тип (фосфор)

Дебелина:625–775 µm (в зависимост от размера на вафлата)

Диапазон на съпротивление: 1–100 Ω

TTV:По -малко или равно на 10 µm

Лък:По -малко или равно на 40 µm

WARP:По -малко или равно на 40 µm

Ниво на частици:По -малко или равни на 30@ по -големи или равни на 0,2 µm

Опции за плоски/изход:Апартаменти или прорез

Повърхностно покритие:Като - отрязани, разпалени, оформени, ssp, dsp

Персонализирано:Налични спецификации

 

741efbc240e95d9ee517fb807b96b62a

 

 

 

 

 

Популярни тагове: Основна вафла, Китай, доставчици, производители, фабрика, произведена в Китай

Изпрати запитване
Изпрати запитване