Галиевото допинг е метод за предотвратяване на осветителното разграждане (LID), особено в PERC клетки. Използването на Ga-стирофови пластини за приложение на слънчеви клетки определено води до по-добра производителност на слънчевите клетки и PV модулите, както и до подобряване на тяхната дългосрочна надеждност.
Схематична диаграма на PERC слънчева клетка
Според изявлението на пресата, Shin-Etsu Chemical притежава няколко патента за галиев допинг в силициеви кристали и върху използването галиев-допирани p-тип кристални силициеви пластини в производството на фотоволтаични (PV) клетки.
Широко известно е, че слънчевите клетки, които използват стифирани от борни p-type wafers p-тип, страдат от светлинно деградиране (LID). Това се случва още в първите часове, когато кристалният p-тип бор, драстираните силициеви слънчеви клетки са изложени на слънце, което води до загуба на производителност и общо влошаване на ефективността на конверсията.
Този капак е свързан с образуването на кислородния комплекс бор, който действа като вреден дефект и намалява дължината на малцинствената дифузия на носителя. Въпреки че много изследвания са били отразени в характеризирането и смекчаването на риска от проблеми с капака до момента, промишлените слънчеви клетки все още страдат от различни видове светлинни загуби на ефективност.
Използване на галиев допинг за предотвратяване на
Въпреки това, има промишлена алтернатива на бор ндократен силиций - галиев ндондирани силиций. Смята се, че той е имунизиран срещу КАПАКа, особено когато се използва в PERC клетки.
През октомври 2019, китайска компания, JA Solar, бе присъдена права върху интелектуална собственост за своя собствена галий допинг технология, която се използва във фотоволтаичното (PV) производство на клетки. JA Solar обясни, че неговата патентована технология може ефективно да смекчи ефекта на КАПАКа върху PV модули, които са сглобени с p-тип силиконови пластини.
"Използването на ga-стирели силициеви пластини за приложение на слънчеви клетки определено води до по-добра производителност на слънчевите клетки и PV модули, както и до подобряване на тяхната дългосрочна надеждност," каза председателят и борда на директорите Джин Баофанг.
Компанията също така притежава няколко патента за галиев допинг в силициеви кристали и върху използването на галиево-допирани p-тип кристални силициеви пластини в производството на PV клетки.
Га лирани силиконова соларна вафлена пласта
Га галени силициеви слънчеви вафли 210мм M12 G12
Га галванични силиконови вафли 166мм М6
Га галванични силиконови вафли 161.7mm M4
Ga галени силициеви слънчеви вафли 158.75mm G1 пълен квадрат
Га галени силициеви слънчеви вафли 156.75мм М2
